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还在为寻找高性价比、高性能的存储解决方案而烦恼吗？MT45W4MW16BCGB-708 WT TR这颗64Mb PSRAM芯片，正是为您排忧解难的得力助手。它采用先进的伪SRAM技术，为您提供高达70ns的快速数据访问与写入能力，同时免去了动态刷新电路的复杂设计，让您的系统设计更简洁，运行更高效稳定。

它能在1.7V至1.95V的低电压下稳定工作，显著降低系统功耗，延长便携设备的续航时间。其宽广的-30°C至85°C工作温度范围，确保您的产品无论是应用于炎热的户外还是寒冷的工业环境，都能可靠运行。选择它，就是为您的嵌入式应用注入一颗强劲、可靠且易于集成的“数据心脏”。

• 型号:MT45W4MW16BCGB-708 WT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:54-VFBGA（6x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:PSRAM
• 技术:PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:54-VFBGA
• 供应商器件封装:54-VFBGA（6x8）
• MT45W4MW16BCGB-708 WT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。