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您是否渴望为您的移动设备注入一颗既强大又节能的“数据心脏”？MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR正是为此而生。这颗由美光科技打造的64Gb LPDDR4移动DRAM，能以高达2133MHz的速度疾速处理海量数据，让您的应用程序运行如飞，多任务切换毫无压力，彻底告别卡顿与等待。

它采用先进的低功耗设计，仅需1.1V供电，能显著延长手机、平板、可穿戴设备的电池续航，让用户享受更持久的畅玩与创作时光。其紧凑的376-WFBGA封装和宽温工作特性（-30°C ~ 85°C），让您可以轻松将其集成到各类对空间和可靠性要求严苛的尖端产品中，无论是追求轻薄的旗舰手机，还是适应复杂环境的工业设备，它都能稳定高效地完成任务，助您打造出更卓越、更具竞争力的智能终端。

• 制造商产品型号：MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 64GBIT 2133MHZ 376WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：64Gb（1G x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：376-WFBGA
• MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。