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还在为嵌入式系统的存储空间和速度发愁吗？MT29F32G08CBADBWPR:D TR将彻底改变这一局面。这颗由美光科技出品的32Gb并行NAND闪存芯片，如同为您产品的数据仓库安装了一部高速电梯，让海量数据的存入与读取变得前所未有的轻松高效。

它基于成熟的闪存技术，提供稳定可靠的非易失性存储，确保断电后数据依然完好无损。宽广的2.7V~3.6V工作电压范围和0°C~70°C的工作温度，让它能从容应对各种复杂的供电与环境挑战。无论是用于存储操作系统、应用程序，还是记录日志、媒体文件，它都能让您的设备运行更流畅，响应更迅速，极大地提升终端用户体验。

• 型号:MT29F32G08CBADBWPR:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:32Gb
• 存储器组织:4G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F32G08CBADBWPR:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。