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其1.8V左右的低电压设计，在为您提供高效能的同时，显著优化了整体功耗，让设备更节能。无论是工业控制、网络通信还是嵌入式应用，它都能在宽温范围内稳定工作，确保您项目的长期可靠运行。选择它，就是为您的产品选择了一个久经考验的高效数据引擎。

• 型号:MT47H128M4B6-3:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:128M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H128M4B6-3:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。