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还在为设备的多任务卡顿和续航焦虑寻找解决方案吗？MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR正是您期待的答案。这颗来自美光科技的16Gb移动LPDDR3 DRAM，能以高达933MHz的速度高效运转，为您的高端移动设备注入澎湃的数据处理动力，让复杂的应用切换和图形渲染变得无比流畅。

它采用先进的1.2V低电压设计，在显著提升性能的同时，有效控制功耗，直接延长您设备的电池续航时间。其216球FBGA的紧凑型表面贴装封装，让您能够轻松实现更轻薄、更时尚的产品设计。无论是智能手机、平板还是新兴的物联网设备，选择它，就是选择了一个让您的产品在性能和能效上脱颖而出的可靠核心。

• 型号:MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-FBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 16GBIT 933MHZ 216FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:256M x 64
• 存储器接口:-
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.2V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
• MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。