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还在为嵌入式系统或网络设备寻找一颗“大心脏”吗？MT47H512M4EB-25E:C TR就是您期待的答案。这颗美光出品的2Gb DDR2并行DRAM，能以高达400MHz的速度与您的处理器协同工作，轻松驾驭大数据量的实时读写任务，让系统响应如行云流水般顺畅。

它采用高效的1.8V左右供电和60-TFBGA紧凑封装，帮助您优化板级空间与能效设计。其宽泛的工作温度范围（0°C至85°C）确保了在各种环境下都能稳定运行，大幅提升您终端产品的适应性与可靠性。选择它，就是为您的核心设备选择了一位高效、坚韧的数据处理伙伴。

• 型号:MT47H512M4EB-25E:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:512M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
• MT47H512M4EB-25E:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。