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您是否在寻找一颗能同时满足大容量存储与高速数据交换需求的闪存芯片？MT29F512G08CUCABH3-10R:A正是为您而来的解决方案。这颗由美光科技打造的512Gb NAND闪存，采用并联接口，时钟频率高达100MHz，能轻松应对海量数据的瞬间读写，让您的设备运行如飞。

它采用工业级标准设计，宽电压供电（2.7V-3.6V）与0°C至70°C的工作温度范围，确保了在各种复杂环境下的稳定性和耐用性。无论是用于加速网络设备、保障工业数据安全，还是作为多媒体系统的存储核心，它都能提供高效、可靠的性能支撑，让您的产品设计更具竞争力。

• 型号:MT29F512G08CUCABH3-10R:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-LBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:512Gb
• 存储器组织:64G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-LBGA
• 供应商器件封装:100-LBGA（12x18）
• MT29F512G08CUCABH3-10R:A，Micron（美光）产品一站式供应商。