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还在寻找一颗能轻松应对中端数据吞吐需求的可靠内存方案吗？MT46V16M16TG-5G:F正是为您而来。这颗来自美光科技的256Mb DDR SDRAM芯片，采用16位并联接口，以高达200MHz的时钟频率和仅700ps的访问时间，让您的系统能够高效处理数据流，显著提升响应速度。

它能在2.5V至2.7V的低电压下稳定工作，帮助您优化整体功耗。无论是工业控制、网络通信还是显示缓冲，这颗芯片都能让您的设备运行更流畅、更可靠。其标准的66-TSOP封装形式，也让您的生产集成过程变得更为轻松便捷。

• 型号:MT46V16M16TG-5G:F
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V16M16TG-5G:F，Micron（美光）产品一站式供应商。