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还在为嵌入式系统的数据存储速度和可靠性头疼吗？让NAND02GW3B2DZA6E来为您分忧！这颗美光出品的2Gb并行NAND闪存芯片，能以高达25ns的极速访问时间，让您的设备实现瞬间数据读写，大幅提升系统响应效率。

它采用工业级设计，支持-40°C至85°C的宽温工作和2.7V-3.6V的宽电压范围，确保您的产品在各类严苛环境中稳定运行。紧凑的63-TFBGA封装，让您能轻松将其集成到空间受限的设计中，无论是工业控制、汽车电子还是物联网设备，它都能成为您产品内部可靠的数据仓库。

• 型号:NAND02GW3B2DZA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9.5x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:25ns
• 访问时间:25 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9.5x12）
• NAND02GW3B2DZA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。