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还在寻找一颗能扛重任、稳定可靠的存储核心吗？MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G TR就是您期待的答案。这颗由美光科技出品的2Gb NAND闪存芯片，采用高效的并联接口，能为您的高速嵌入式系统提供海量、非易失的数据存储空间，让您的设备轻松应对程序代码、用户数据、媒体文件的存储需求。

它专为严苛环境而生，宽电压支持和-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保其在各种复杂应用场景下都能稳定运行，大幅提升您终端产品的耐用性和可靠性。紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，更让您能高效利用板卡空间，实现更精巧的产品设计。选择它，就是为您的项目选择了一份经得起考验的性能保障。

• 型号:MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。