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还在为嵌入式设备寻找一颗既快又省电的“记忆核心”吗？MT48H4M16LFF4-8正是您的理想之选。这颗64Mb移动低功耗SDRAM，能以高达125MHz的速度流畅处理数据，同时凭借1.7V~1.9V的低电压供电，显著降低系统整体能耗，让您的设备续航更持久。

它采用并行接口和4M x 16的配置，访问时间快至6ns，写周期仅15ns，确保您的高速处理器永不“饥饿”。无论是工业控制、便携医疗还是车载系统，它都能在0°C至70°C的宽温范围内稳定工作，以54-VFBGA的小尺寸封装，轻松集成到您的紧凑设计中，高效助力产品性能飞跃。

• 型号:MT48H4M16LFF4-8
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:54-VFBGA（8x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPSDR
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:125 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:6 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:54-VFBGA
• 供应商器件封装:54-VFBGA（8x8）
• MT48H4M16LFF4-8，Micron（美光）产品一站式供应商。