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MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES:A 零件图片(仅供参考)

MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES:A
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MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES:A 规格参数

还在寻找能同时满足海量存储与疾速响应的核心元件吗?MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES:A就是您期待的答案。这颗美光科技的1Tb并行NAND闪存,旨在成为您高端设备的强大数据心脏。它能够轻松容纳高达128GB的庞大数据,无论是复杂的操作系统、丰富的多媒体库还是持续增长的日志文件,都能从容应对。

更重要的是,它通过高效的并行接口和333MHz的时钟频率,为您带来惊人的数据吞吐能力。这意味着系统读取和写入数据的速度大幅提升,有效减少延迟,让您的应用程序运行如飞,用户体验无比流畅。其宽电压(2.5V-3.6V)和宽温(-40°C至85°C)设计,进一步确保了在各种严苛环境下的稳定性和可靠性,让您的产品设计更具韧性和竞争力。

  • 制造商产品型号:MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES:A
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:1Tb(128G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:333MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.5V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:132-VBGA
  • MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES:A,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES:A 基本参数:

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