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还在为系统设计中的存储与内存分立方案而烦恼吗？MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E为您带来颠覆性的二合一体验！这颗芯片将4Gb NAND Flash和2Gb LPDDR2 DRAM集成于微型162-VFBGA封装内，让您轻松实现数据持久化存储与高速运行缓存的完美协同，极大简化板卡布局，提升系统整体可靠性。

凭借533MHz的高时钟频率和仅1.8V的工作电压，它能让您的设备在高效处理数据的同时，显著降低功耗。其宽温工作特性（-25°C ~ 85°C）确保在严苛的工业与车载环境中稳定运行。选择它，就是选择了一个经过验证的高性能、高集成度存储核心，让您的产品开发更高效，竞争力更强。

• 型号:MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:162-VFBGA（11.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
• 存储容量:4Gb（NAND），2Gb（LPDDR2）
• 存储器组织:512M x 8（NAND），64M x 32（LPDDR2）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.8V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:162-VFBGA
• 供应商器件封装:162-VFBGA（11.5x13）
• MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E，Micron（美光）产品一站式供应商。