我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

当您的下一代智能设备需要一颗强大、可靠且经过严苛考验的数据存储核心时，MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR正是您期待的答案。这颗来自美光科技的4Gb并行NAND闪存芯片，专为汽车电子和工业应用而生，其AEC-Q100车规级认证意味着它能在-40°C到105°C的极端温度范围内稳定工作，让您的产品无惧任何环境挑战。

它采用高效的并联接口和1.7V~1.95V的低电压供电，不仅能为您节省宝贵的系统功耗，更能实现快速的数据读写，轻松应对车载信息娱乐、ADAS数据记录、工业控制等高要求场景。其非易失的特性确保数据在断电后依然安全，63-VFBGA的紧凑封装则让您的PCB设计更加灵活高效。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起时间考验的可靠与高效。

• 制造商产品型号：MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：Automotive, AEC-Q100
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Gb（256M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 105°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
• MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。