我们为全球各个行业提供Micron（美光） NAND512W3A2DN6E现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为嵌入式系统的数据存储寻找一颗可靠的核心？NAND512W3A2DN6E就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的512Mb并行NAND闪存芯片，能以50ns的高速响应，轻松处理您的程序代码、配置参数和用户数据，确保系统运行流畅高效。

它拥有2.7V至3.6V的宽电压适应能力和-40°C至85°C的工业级工作温度范围，让您的设备无惧供电波动与严苛环境挑战，数据存储安全稳固。紧凑的48-TSOP表面贴装封装，更便于您进行高密度PCB设计，优化产品空间。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的存储保障。

• 型号:NAND512W3A2DN6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND512W3A2DN6E，Micron（美光）产品一站式供应商。