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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的核心存储芯片吗？MT29F4G08ABADAH4-AATX:D TR就是您的理想答案。这颗由美光科技打造的4Gb并行NAND闪存，为您提供512M x 8的充裕存储空间，让您的设备能够轻松缓存大量运行数据、记录关键日志或存储固件升级包。

它采用高效的并联接口，确保数据交换流畅迅速。宽电压（2.7V~3.6V）支持和宽广的工作温度范围（-40°C ~ 105°C），让您的产品设计能够从容应对各种复杂的供电与环境挑战，无论是车载、工业还是网络应用，都能稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的存储保障。

• 型号:MT29F4G08ABADAH4-AATX:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G08ABADAH4-AATX:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。