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还在为系统数据瓶颈而烦恼吗？让MT49H16M36SJ-25:B TR为您带来飞跃式的体验升级。这颗来自美光科技的576Mb并行DRAM，是专为高性能嵌入式系统设计的动力核心。它以高达400MHz的时钟频率和20ns的快速访问时间，为您提供澎湃的数据吞吐能力，轻松驾驭高速数据流处理、实时控制等严苛任务。

更令人心动的是，它在提供强大性能的同时，还兼具出色的能效表现。1.7V~1.9V的低电压工作范围，有效帮助您降低系统整体功耗。其宽温（0°C ~ 95°C）特性和可靠的144-TFBGA封装，确保您的设备即使在复杂的工业环境中也能长期稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一份高效、可靠且经久耐用的存储解决方案。

• 型号:MT49H16M36SJ-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H16M36SJ-25:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。