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还在为嵌入式系统寻找一颗既能高速运行又节能可靠的“内存心脏”吗？MT49H32M9FM-25:B就是您的理想答案。这颗由美光科技打造的288Mb并行DRAM，能以高达400MHz的时钟频率疾速处理数据，20ns的极快访问时间让系统响应无比流畅，彻底告别等待。

更令人心动的是，它在1.7V~1.9V的低电压下即可高效工作，显著降低系统整体功耗，让您的设备在性能与能效间取得完美平衡。其坚固的144-TFBGA封装和宽温工作特性（0°C~95°C），确保它在各种严苛环境下稳定如一。选择它，就是为您的工业控制、网络通信或嵌入式计算项目，注入了一剂强效、可靠的性能催化剂。

• 型号:MT49H32M9FM-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:32M x 9
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M9FM-25:B，Micron（美光）产品一站式供应商。