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还在为设备的数据存储瓶颈而烦恼吗？MT29F1T08CLHBBG1-3RES:B TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的1Tb并行NAND闪存芯片，能以高达333MHz的时钟频率进行高速数据交换，让您的设备在处理海量信息时依然流畅迅捷，轻松应对高带宽应用。

它采用可靠的并联接口和2.5V~3.6V宽电压设计，确保在0°C至70°C的工作温度范围内稳定运行，为您的高端网络设备、存储服务器或工业控制系统提供坚实的数据基石。其272-VFBGA紧凑型封装，更让您能在有限空间内集成超大容量，高效优化产品设计。

• 制造商产品型号：MT29F1T08CLHBBG1-3RES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 272VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：272-VFBGA
• MT29F1T08CLHBBG1-3RES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。