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还在寻找一颗能同时担当“高速工作台”和“永久档案馆”的存储芯片吗？MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G正是为您而来。它将1Gb高速LPDDR2 DRAM与2Gb可靠NAND Flash合二为一，让您的设备既能以533MHz的频率疾速处理数据，又能将关键信息稳固保存，彻底告别易失风险。

这颗芯片能为您做什么？它让您的嵌入式系统设计化繁为简。您无需再分别布局内存和闪存，一颗芯片即可满足高速运算与海量存储的双重需求。其1.8V低功耗设计和宽广的-40°C至85°C工作温度范围，更能让您的产品轻松应对严苛的工业环境与能效挑战，实现性能与可靠性的完美平衡。

• 型号:MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:162-VFBGA（10.5x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 2GBIT PAR 162VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
• 存储容量:2Gb（NAND），1Gb（LPDDR2）
• 存储器组织:256M x 8（NAND），32M x 32（LPDDR2）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.8V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:162-VFBGA
• 供应商器件封装:162-VFBGA（10.5x8）
• MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G，Micron（美光）产品一站式供应商。