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还在为寻找一颗能兼顾大容量、高速度与高可靠性的存储芯片而烦恼吗？NAND32GW3F4AN6E正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的32Gb并行NAND闪存，能以高达50ns的页写入和访问速度，让您的设备实现数据的高速吞吐，轻松应对实时数据记录、多媒体缓冲等密集型任务。

它采用2.7V至3.6V宽电压供电和表面贴装设计，不仅节能，更便于集成。其最突出的价值在于宽广的适应性，-40°C到85°C的工业级工作温度范围，让您的产品无论是应用于酷热的户外设备还是严寒的工业环境，都能保持稳定高效的运行，彻底免除您的后顾之忧。

• 型号:NAND32GW3F4AN6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 32GBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:32Gb
• 存储器组织:4G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND32GW3F4AN6E，Micron（美光）产品一站式供应商。