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MT29F8G08AAAWP-ET:A TR 零件图片(仅供参考)

MT29F8G08AAAWP-ET:A TR
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MT29F8G08AAAWP-ET:A TR 规格参数

您是否在寻找一颗能扛重任、值得信赖的存储核心?MT29F8G08AAAWP-ET:A TR正是这样一款解决方案。它基于成熟的NAND闪存技术,为您提供高达8Gb的海量存储空间,让您的设备能够轻松容纳复杂的操作系统、应用程序和用户数据,彻底告别存储焦虑。

这颗芯片采用并联接口,确保高效的数据吞吐能力,让您的系统运行更加流畅迅速。其宽电压(2.7V-3.6V)与宽温(-40°C至85°C)特性,赋予了产品极强的环境适应性和可靠性,无论是面对严苛的工业现场还是多变的户外气候,都能稳定工作,让您专注于产品创新,无需为底层存储的稳定性担忧。

  • Micron美光半导体完整型号:MT29F8G08AAAWP-ET:A TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 8GBIT 48TSOP
  • 系列:-
  • 格式 - 存储器:闪存
  • 存储器类型:闪存 - NAND
  • 存储容量:8G(1G x 8)
  • 速度:-
  • 接口:并联
  • 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:48-TSOP I
  • MT29F8G08AAAWP-ET:A TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F8G08AAAWP-ET:A TR 基本参数:

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