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还在寻找能让您的移动设备“快人一步”的内存解决方案吗？MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR就是您期待的答案。这颗来自美光科技的16Gb LPDDR4移动DRAM，以2133MHz的高频和1.1V低电压运行，专为平衡极致性能与超低功耗而设计。

它能为您做什么？它能让您的智能手机或平板电脑轻松驾驭大型3D游戏、多任务并行和4K视频编辑，带来无卡顿的流畅体验。其宽温特性（-30°C ~ 105°C）更能确保设备在各类环境下稳定工作，大大提升了产品的可靠性和适用范围。选择它，就是选择了一个经过市场验证的高效、可靠的性能基石，让您的产品设计更具竞争力。

• 制造商产品型号：MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 16GBIT 2133MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：16Gb（256M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 105°C（TC）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。