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您是否希望为您的嵌入式系统配备一颗反应迅捷、坚若磐石的“大脑记忆库”？MT28EW01GABA1LPC-0SIT TR正是这样一款专为高性能需求设计的1Gb并行NOR闪存。它能为您安全存储至关重要的启动代码、操作系统及应用程序，并凭借其并联接口与95ns的快速访问时间，让处理器能够极速读取指令与数据，显著提升系统整体响应效率，告别等待。

这颗芯片能在2.7V至3.6V的宽电压范围内稳定工作，并适应-40°C至85°C的严苛温度环境，确保您的工业控制、汽车电子或网络设备在任何条件下都运行如常。其高效的写入性能（字/页写周期60ns）与紧凑的64-LBGA封装，让您能轻松设计出更可靠、更高效、更节省空间的下一代产品解决方案。

• 型号:MT28EW01GABA1LPC-0SIT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-LBGA（11x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64LBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8，64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:60ns
• 访问时间:95 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-LBGA
• 供应商器件封装:64-LBGA（11x13）
• MT28EW01GABA1LPC-0SIT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。