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还在为嵌入式系统寻找一颗反应迅捷、值得托付的“记忆核心”吗？M58WR064KB7AZB6F TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的64Mb并行NOR Flash芯片，能以高达66MHz的速度运行，并提供仅70ns的快速访问时间，让您的处理器无需等待，即刻获取关键指令与数据，极大提升系统响应效率。

它采用可靠的1.7V~2V低电压工作，并具备-40°C至85°C的工业级宽温范围，确保您在各类严苛环境下都能稳定运行。无论是存储启动代码、应用程序还是作为数据记录介质，它都能让您的设计更加稳健高效。其并联接口和NOR架构支持代码就地执行，简化设计，助您轻松构建高性能、高可靠性的嵌入式平台。

• 型号:M58WR064KB7AZB6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-VFBGA（7.7x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:66 MHz
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-VFBGA
• 供应商器件封装:56-VFBGA（7.7x9）
• M58WR064KB7AZB6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。