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您正在寻找一颗能扛得住恶劣环境、经得起时间考验的存储核心吗？MT29F1G08ABBDAH4-ITE:D正是为您而来。这颗由美光科技出品的1Gb NAND闪存芯片，采用并联接口与紧凑的63-VFBGA封装，能在-40°C至85°C的宽广温度范围内稳定工作，轻松应对工业、通信及各类严苛应用场景的挑战。

它为您提供128M x 8位的高效存储组织方式，并在1.7V~1.95V的低电压下运行，显著帮助您的系统降低功耗。无论是用于存储设备固件、关键系统参数，还是用户数据，它都能确保高效、可靠的读写操作。选择这颗经典且成熟的芯片，意味着为您的产品选择了一份坚实的可靠性保障，让您的设计更稳健，生产更连续。

• 型号:MT29F1G08ABBDAH4-ITE:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABBDAH4-ITE:D，Micron（美光）产品一站式供应商。