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还在为嵌入式设备的内存性能而妥协吗？MT46H128M16LFB7-6 WT:B将彻底改变您的认知。这颗美光出品的2Gb移动LPDDR SDRAM芯片，凭借其128M x 16的并行架构和高达166MHz的运行速度，能为您的高速处理器提供源源不断的数据流，让您的应用程序运行如飞，彻底告别等待。

它不仅仅追求速度，更注重能效与可靠性。1.7V~1.95V的低电压设计显著降低了系统功耗，而-25°C至85°C的宽温工作范围则确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作。无论是工业控制、汽车电子还是高端消费设备，它都能轻松融入，成为您提升产品竞争力的秘密武器，让您的设计高效又省心。

• 型号:MT46H128M16LFB7-6 WT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-VFBGA（10x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-VFBGA
• 供应商器件封装:60-VFBGA（10x10）
• MT46H128M16LFB7-6 WT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。