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M58WR064KT70ZB6F TR 零件图片(仅供参考)

M58WR064KT70ZB6F TR
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M58WR064KT70ZB6F TR 规格参数

还在为嵌入式系统寻找一颗既快速又可靠的“记忆大脑”吗?M58WR064KT70ZB6F TR就是您的答案。这颗由美光科技打造的64Mb并行NOR闪存,能以高达66MHz的速度运行,确保您的主控芯片无需等待,即刻获取关键指令与数据,极大提升系统响应效率。

它为您提供稳定、非易失的存储空间,即使在断电情况下也能牢牢守护您的核心代码与配置信息。其宽广的-40°C至85°C工作温度范围和低至1.7V的供电电压,让您的设备能够轻松应对工业、汽车等严苛环境,同时优化整体功耗。选择它,就是为您的产品注入一颗强劲、可靠的存储核心。

  • 制造商产品型号:M58WR064KT70ZB6F TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:64Mb(4M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:66MHz
  • 写周期时间-字,页:70ns
  • 访问时间:70ns
  • 电压-供电:1.7V ~ 2V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:56-VFBGA
  • M58WR064KT70ZB6F TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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M58WR064KT70ZB6F TR 基本参数:

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