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您正在寻找一颗能扛得住极端温度、经得起时间考验的存储芯片吗？MT29F2G08ABDHC-ET:D TR正是为您而来。这颗由美光科技打造的2Gb NAND闪存，采用并联接口和1.8V供电，能轻松集成到您的各类嵌入式系统中，提供稳定高效的非易失性存储解决方案。

它的强大之处在于其工业级的坚韧。无论是零下40度的严寒，还是高达85度的酷热，它都能确保数据存取无误，让您的设备在户外工业控制、汽车电子或严苛环境下的消费产品中稳定运行。256M x 8的存储组织方式，也为您的数据管理提供了高效的灵活性。

选择这颗芯片，意味着您选择了一个免于担忧的存储基础。它简化了您的硬件设计，降低了系统功耗，更重要的是，其成熟的工艺和广泛的应用验证，能大幅减少您的开发风险与后期维护成本，让产品上市之路更加平稳高效。

• 型号:MT29F2G08ABDHC-ET:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• MT29F2G08ABDHC-ET:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。