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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT49H8M36BM-25E:B TR为您注入强劲动力！这颗美光288Mb并行DRAM，拥有高达400MHz的运行频率和仅15ns的访问时间，能瞬间响应处理器的指令，让您的应用数据处理如行云流水般高效顺畅。

它采用1.7V~1.9V低电压工作，在提供卓越性能的同时兼顾能效，特别适合嵌入式设计。其8M x 36的宽位并行接口，为您构建高速数据缓冲区和临时存储空间提供了理想选择，轻松应对工业控制、网络通信等场景下的严苛数据交换需求。

• 型号:MT49H8M36BM-25E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-25E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。