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您正在设计的设备是否需要一颗强劲、可靠的内存“心脏”来保证流畅运行？MT47H64M8CB-25:B TR正是您期待的答案。这颗美光出品的512Mb DDR2 SDRAM芯片，能以高达400MHz的速度高效处理数据，其快速的访问时间让系统响应无比迅捷，轻松应对实时控制、高速缓存等严苛任务。

它采用经典的64M x 8位宽和1.8V工作电压，在提供出色性能的同时兼顾能效，特别适合嵌入式系统、工业控制等对稳定性和功耗有要求的场景。其坚固的60-FBGA封装确保了在各种环境下的可靠连接。选择它，就是为您的产品选择了一份经过市场验证的性能与稳定保障，让您的设计事半功倍。

• 型号:MT47H64M8CB-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H64M8CB-25:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。