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MT9VDDT6472HG-40BF2 零件图片(仅供参考)

MT9VDDT6472HG-40BF2
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MT9VDDT6472HG-40BF2 规格参数

还在为设备的数据处理速度而烦恼吗?MT9VDDT6472HG-40BF2正是为您提速而生的利器。这颗512MB容量的DDR SDRAM模块,运行速度高达400MT/s,能瞬间响应系统的数据请求,让您的应用程序摆脱等待,流畅运行。

它采用标准的200-SODIMM封装,让您能够轻松、快速地将其集成到各种紧凑型嵌入式设计和工业系统中。无论是处理复杂的实时数据,还是支撑多任务并行运算,它都能提供稳定可靠的高带宽支持,显著提升您整机设备的响应效率与处理能力。

  • Micron美光半导体完整型号: MT9VDDT6472HG-40BF2
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 功能总体简述: MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
  • 系列: -
  • 存储器类型: DDR SDRAM
  • 存储容量: 512MB
  • 速度: 400MT/s
  • 封装/外壳: 200-SODIMM
  • MT9VDDT6472HG-40BF2,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT9VDDT6472HG-40BF2 基本参数:

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