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您是否正在寻找一颗能够轻松驾驭海量数据、让设备运行如飞的核心存储芯片？MT29F256G08CECBBH6-6R:B TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的256Gb NAND闪存芯片，拥有32G x 8的磅礴容量，能为您的高端设备提供一个高速、稳定的数据存储中心。

它采用并联接口，运行时钟频率高达167MHz，这意味着惊人的数据传输速率，让您的大文件读写、实时数据记录变得无比高效。其2.7V~3.6V的宽电压工作范围与0°C~70°C的工业级温度适应性，确保了在各种严苛环境下依然稳定可靠。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的“数据心脏”。

• 制造商产品型号：MT29F256G08CECBBH6-6R:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：152-VBGA
• MT29F256G08CECBBH6-6R:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。