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它专为严苛环境设计，支持-40°C至85°C的工业宽温，并符合AEC-Q100标准，确保在车载、工控等关键应用中稳定如山。1.7V~1.9V的低工作电压，在提供出色性能的同时，助力您实现更优的能效设计。选择它，就是为您的产品选择了经得起考验的性能与耐久性。

• 型号:MT47H32M16NF-25E AIT:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H32M16NF-25E AIT:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。