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还在为系统数据带宽瓶颈而烦恼吗？让MT49H32M18CFM-25:B为您开启高效数据交换的新篇章。这颗美光576Mb并行DRAM，凭借400MHz的高时钟频率和并联接口，能瞬间提升您的系统数据吞吐能力，让海量信息流转如飞。

它采用先进的1.8V左右低电压供电和144-TFBGA紧凑封装，不仅为您节省宝贵的能耗与板卡空间，其宽温工作特性更能确保在各种环境下稳定运行。选择它，就是为您的工业控制、网络通信或高端嵌入式设备，配备一颗强劲、可靠的数据心脏，轻松应对复杂任务挑战。

• 型号:MT49H32M18CFM-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M18CFM-25:B，Micron（美光）产品一站式供应商。