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还在为系统数据处理的延迟而烦恼吗？让MT47H128M4CB-5E:B TR为您带来改变。这颗美光出品的512Mb DDR2 SDRAM芯片，是您提升系统响应速度的秘密武器。其高达200MHz的运行频率和仅600ps的超快访问时间，能轻松应对高速数据读写挑战，让您的应用程序运行如飞。

它采用高效的并行接口和128M x 4的容量配置，为您提供灵活可靠的数据缓存方案。1.8V左右的核心工作电压，在保证强劲性能的同时，有效控制功耗，助力您设计出更节能的产品。无论是嵌入式系统、工业控制还是网络通信设备，这颗芯片都能无缝集成，以美光一贯的卓越品质，为您的产品稳定高效运行保驾护航。

• 型号:MT47H128M4CB-5E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:128M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:600 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H128M4CB-5E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。