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还在为嵌入式系统的数据存储核心而犹豫吗？让MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F来为您提供强大动力！这颗来自美光科技的1Gb并行NAND闪存芯片，是您实现高效、可靠数据存储的绝佳伙伴。它以128M x 8的容量配置，为您提供充裕的代码与数据存储空间。

它能让您的系统轻松应对频繁的数据读写任务，其并联接口确保了高速的数据传输效率。宽达2.7V至3.6V的工作电压和-40°C至85°C的工业级温度范围，赋予了它卓越的环境适应性与稳定性，让您的产品在严苛条件下也能持续可靠运行。选择它，就是为您的产品选择了一个坚实、耐用的数据基石。

• 型号:MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F，Micron（美光）产品一站式供应商。