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还在为系统瓶颈而烦恼？让MT44K64M18RB-093E:A TR为您打破性能壁垒！这颗美光RLDRAM 3芯片，凭借1067MHz的高时钟频率和仅8ns的快速访问时间，能显著提升您设备的数据处理速度，让海量信息流转如飞。

它为您提供高达1.125Gb的并联存储容量，专为应对网络、电信及高性能计算中的密集型任务而生。无论是作为高速缓存还是数据缓冲，都能让您的系统运行更高效、响应更迅捷。其1.28V~1.42V的宽电压设计和宽温工作特性，更确保了在各种应用环境下的出色稳定性和可靠性。

• 型号:MT44K64M18RB-093E:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:RLDRAM 3
• 存储容量:1.125Gb
• 存储器组织:64M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.066 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K64M18RB-093E:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。