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还在为嵌入式系统的存储瓶颈寻找突破方案吗？MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-M正是您期待的答案。这颗美光64Gb并行NAND闪存芯片，能为您提供高达8GB的海量、非易失存储空间，让您的设备轻松承载复杂的操作系统、庞大的应用数据或持续不断的日志记录，彻底释放系统潜能。

其并联接口设计确保了高效的数据读写速度，让您的产品响应更迅捷，体验更流畅。宽广的2.7V-3.6V工作电压范围和0°C-70°C的工作温度，赋予了它出色的环境适应性与可靠性，无论是工业控制、消费电子还是网络通信设备，它都能稳定胜任，成为您产品中值得信赖的数据基石。

• 型号:MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-M
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:模具
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL DIE
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:模具
• 供应商器件封装:模具
• MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-M，Micron（美光）产品一站式供应商。