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还在寻找能让您的设备拥有“海量记忆”与“闪电响应”的核心存储吗？MT29F128G08CEHGBJ4-3R:G TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的128Gb NAND闪存芯片，采用并联接口，能为您提供高达16GB的可靠非易失存储空间，让您轻松容纳庞大的系统固件、应用程序与用户数据。

其2.5V~3.6V的宽电压支持和0°C~70°C的工业级工作温度范围，确保了它在各种复杂供电环境和温度条件下都能稳定高效地运行。表面贴装式的132-VBGA封装，极大地节省了您的PCB布局空间，让设计更紧凑，生产更高效。选择它，就是为您的产品选择了一个经久耐用、性能卓越的数据基石。

• 制造商产品型号：MT29F128G08CEHGBJ4-3R:G TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLSH 128GBIT PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：128Gb（16G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F128G08CEHGBJ4-3R:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。