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不仅如此，它采用先进的低电压技术（1.283V~1.45V），在提供强大动力的同时，显著降低系统功耗，帮助您设计出更节能、更环保的产品。其宽温工作特性（0°C~95°C）和可靠的78-TFBGA封装，确保了在各种复杂环境下的长期稳定运行，大幅提升您终端产品的耐用性和市场竞争力。选择它，就是选择了一份高效与安心。

• 型号:MT41K128M8JP-125:G
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x11.5）
• MT41K128M8JP-125:G，Micron（美光）产品一站式供应商。