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还在寻找能同时满足海量存储与极速响应的核心元件吗？MT29F4T08CTHBBM5-3R:B就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的4Tb并行NAND闪存芯片，旨在让您的设备彻底摆脱存储束缚。

它为您提供高达4Tb（512G x 8）的非易失存储空间，并借助333MHz的高速并联接口，实现数据的闪电般读写。这意味着无论是处理大型数据库、流式高清内容还是运行复杂应用程序，都能获得流畅无延迟的体验。其2.5V~3.6V的宽电压支持与0°C~70°C的工作温度范围，更能确保在各种严苛环境下稳定运行，让您的产品设计更从容，性能更卓越。

• 型号:MT29F4T08CTHBBM5-3R:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:-
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4TBIT PARALLEL 333MHZ
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Tb
• 存储器组织:512G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:-
• MT29F4T08CTHBBM5-3R:B，Micron（美光）产品一站式供应商。