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还在为系统数据处理的卡顿而烦恼吗？MT46V128M4BN-6:F就是您的高效数据管家。这颗美光512Mb DDR SDRAM芯片，采用128M x 4的并行架构，能以高达167MHz的时钟频率飞速运转，让您的设备轻松应对海量数据的实时读写需求，瞬间提升整体响应速度。

它专为追求稳定与效率的您设计。仅700ps的超快访问时间和15ns的写周期，确保了数据交换的极速与流畅。其2.3V~2.7V的宽电压适应性和0°C~70°C的工业级工作温度范围，更让它能在各种复杂环境中稳定服役，为您的工业控制、网络通信或显示终端等应用提供持久可靠的存储动力。

• 型号:MT46V128M4BN-6:F
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:128M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V128M4BN-6:F，Micron（美光）产品一站式供应商。