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还在为嵌入式系统的数据吞吐瓶颈寻找突破口吗？让MT46V16M16CY-5B AAT:M TR为您注入强劲动力。这颗美光出品的256Mb DDR SDRAM芯片，能以高达200MHz的速度并行处理数据，访问时间低至惊人的700ps，让您的系统实现高效、流畅的数据交换与实时处理。

它专为严苛环境设计，支持-40°C到105°C的宽温工作范围，并采用2.5V~2.7V低电压供电，在保证强劲性能的同时，兼顾了系统的功耗与可靠性。无论是工业控制、汽车电子还是网络设备，它都能轻松胜任帧缓存、数据暂存等核心任务，是您打造稳定、高性能产品的可靠存储基石。

• 型号:MT46V16M16CY-5B AAT:M TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
• MT46V16M16CY-5B AAT:M TR，Micron（美光）产品一站式供应商。