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您是否在寻找一颗能扛重任、值得信赖的存储核心？MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的1Gb NAND闪存芯片，采用高效的并联接口，旨在让您的系统实现快速、稳定的数据存取。无论是程序代码、用户配置还是关键日志，它都能为您安全存储，确保信息在断电后依然完整无缺。

它专为严苛环境而生，宽广的-40°C至85°C工作温度范围，让您的设备无惧户外严寒或工业高温的挑战。其2.7V~3.6V的宽电压支持，进一步提升了系统设计的灵活性与能效。选择它，就是为您的产品选择了一份从容与可靠，让您轻松构建出性能更强劲、运行更稳定的智能设备。

• 型号:MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。