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还在为复杂系统中的高速数据缓存寻找一颗高效、稳定的“内存引擎”吗？MT49H8M36SJ-TI:B TR就是您理想的答案。这颗由美光科技打造的288Mb并行DRAM，采用8M x 36的配置，能为您的高性能处理器提供宽阔的数据通道，让数据吞吐如行云流水，彻底释放计算潜力。

它能在1.8V左右的低电压下稳定运行，有效帮助您降低系统整体功耗，同时其坚固的144-TFBGA封装和宽广的0°C至95°C工作温度范围，确保了在各种严苛环境下的卓越可靠性。无论是工业控制、通信设备还是需要持续稳定运行的关键系统，它都能轻松融入，成为您设备中默默奉献却至关重要的高性能记忆核心。

• 型号:MT49H8M36SJ-TI:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H8M36SJ-TI:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。