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您是否在寻找一颗能让您的嵌入式系统“大脑”反应更敏捷、记忆更可靠的存储芯片？MT28EW256ABA1LPN-0SIT TR正是为此而生。它是一颗256Mb容量的并行NOR闪存，能为您稳定存储启动代码、应用程序和关键数据，确保设备即使在断电后也能瞬间恢复状态，实现快速可靠的系统启动和运行。

这颗芯片能让您轻松构建高性能的嵌入式平台。其高速的访问和写入能力（访问时间75ns，写入周期60ns）显著提升了系统响应速度。宽电压范围（2.7V-3.6V）和宽广的工作温度（-40°C至85°C）让它能从容应对工业、汽车等严苛环境。选择它，就是为您的产品选择了高效、稳定与持久的存储解决方案。

• 型号:MT28EW256ABA1LPN-0SIT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-VFBGA（7x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PAR 56VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:32M x 8，16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:60ns
• 访问时间:75 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-VFBGA
• 供应商器件封装:56-VFBGA（7x9）
• MT28EW256ABA1LPN-0SIT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。