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还在为系统数据带宽不足而烦恼吗？让MT41J256M4HX-15E:D TR为您带来变革！这颗1Gb容量的DDR3 SDRAM芯片，以其高达667MHz的时钟频率和并行接口，能瞬间提升您的数据吞吐能力，轻松应对高速缓存、实时处理等严苛任务，让您的应用运行如飞。

它采用先进的1.5V左右低电压供电和78-FBGA紧凑封装，在为您提供强大性能的同时，也显著优化了系统的功耗与空间布局。宽达0°C至95°C的工作温度范围，确保了其在各种复杂环境下的稳定性和可靠性。选择它，就是为您的嵌入式系统、网络设备或工业控制器注入一颗强劲而可靠的“数据心脏”。

• 型号:MT41J256M4HX-15E:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:256M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:667 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
• MT41J256M4HX-15E:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。