我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备的数据存储速度和容量发愁吗？MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR就是您期待的解决方案！这颗由美光科技打造的512Gb NAND闪存芯片，拥有高达333MHz的时钟频率和并联接口，能为您带来疾风骤雨般的数据读写体验。无论是处理高清视频流、运行复杂算法还是存储海量日志，它都能轻松胜任，让您的应用响应更快、运行更流畅。

它采用先进的132-VBGA封装，集成度高，节省宝贵的板级空间。2.5V~3.6V的宽电压支持和0°C~70°C的工作温度范围，赋予了它出色的环境适应性和电源兼容性，让您在设计电源管理和应对不同工作场景时更加从容。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、可靠且强大的数据心脏。

• 型号:MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Gb
• 存储器组织:64G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。