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MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR 零件图片(仅供参考)

MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR
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MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR 规格参数

您正在寻找一颗能扛住极端温度、确保数据万无一失的存储核心吗?MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR正是您的理想答案。这颗由美光科技打造的2Gb并行NAND闪存,采用紧凑的63-VFBGA封装,能轻松集成到您的空间受限设计中,提供128M x 16位的高效存储能力。

它专为严苛环境而生,宽广的-40°C至85°C工作温度范围和1.7V~1.95V的供电电压,让您的工业控制设备、车载系统或网络设备无论在冰点还是高温下都能稳定运行,数据存取始终可靠。选择它,就是为您的产品选择了一份经久耐用的性能保障。

  • 型号:MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:63-VFBGA(9x11)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:2Gb
  • 存储器组织:128M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:63-VFBGA
  • 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
  • MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR 基本参数:

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